特點：
1．石英坩堝可在1650度以下使用，分透明和不透明兩種。用電弧法制的半透明石英坩堝是拉制大直徑單晶硅，是發展大規模集成電路必不可少的基礎材料。
2、不能和HF接觸，高溫時，極易和苛性堿及堿金屬的碳酸鹽反應。
3．石英坩堝適于用K2S2O7，KHSO4作熔劑熔融樣品和用Na2S207(先在212度烘干)作熔劑處理樣品。
4．石英質脆，易破，使用時要注意。
5．除HF外，普通稀無機酸可用作清洗液。
注意事項：
1、用后放置干燥處，切忌雨水侵入；使用前須緩慢烘烤到500攝氏度方可使用。
2、應根據坩堝容量加料，忌擠得太緊，以免金屬發生熱膨脹脹裂坩堝。
3、取出金屬熔液時，最好用勺子舀出，盡量少用卡鉗，若用卡鉗等工具應與坩堝形狀相符，避免局部受力過大而縮短使用壽命。
4、坩堝使用壽命與用法有關，應避免強氧化火焰直接噴射到坩堝上，而使坩堝原料氧化短命。
特點：
1．石英坩堝可在1650度以下使用，分透明和不透明兩種。用電弧法制的半透明石英坩堝是拉制大直徑單晶硅，是發展大規模集成電路必不可少的基礎材料。
2、不能和HF接觸，高溫時，極易和苛性堿及堿金屬的碳酸鹽反應。
3．石英坩堝適于用K2S2O7，KHSO4作熔劑熔融樣品和用Na2S207(先在212度烘干)作熔劑處理樣品。
4．石英質脆，易破，使用時要注意。
5．除HF外，普通稀無機酸可用作清洗液。
注意事項：
1、用后放置干燥處，切忌雨水侵入；使用前須緩慢烘烤到500攝氏度方可使用。
2、應根據坩堝容量加料，忌擠得太緊，以免金屬發生熱膨脹脹裂坩堝。
3、取出金屬熔液時，最好用勺子舀出，盡量少用卡鉗，若用卡鉗等工具應與坩堝形狀相符，避免局部受力過大而縮短使用壽命。
4、坩堝使用壽命與用法有關，應避免強氧化火焰直接噴射到坩堝上，而使坩堝原料氧化短命。
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